在OBC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉(zhuǎn)換電路，IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)是通過(guò)多層絕緣、導(dǎo)熱、和保護(hù)結(jié)構(gòu)的集成，確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩(wěn)定運(yùn)行。通過(guò)選擇合適的材料和封裝設(shè)計(jì)，可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢(shì)，使其廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)電力..
2024-09-24中國(guó)大陸的超結(jié)MOSFET市場(chǎng)有多家廠商參與，各品牌在技術(shù)能力、產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)定位上各具特色。華潤(rùn)微、士蘭微等品牌在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)具備廣泛的影響力，具有成熟的產(chǎn)品線，而揚(yáng)杰科技、聞泰科技等在特定應(yīng)用領(lǐng)域也有其獨(dú)特..
2024-09-24碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導(dǎo)通損耗、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子器件中。其制備過(guò)程主要涉及碳化硅材料的生長(zhǎng)、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，在高效能電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了高電流開(kāi)關(guān)和低損耗操作。
2024-09-18國(guó)產(chǎn)溝槽型碳化硅MOSFET正式問(wèn)世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術(shù)的突破不僅填補(bǔ)了我國(guó)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，更為相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟(jì)效益和技術(shù)提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結(jié)MOS（Super Junction MOSFET）產(chǎn)品中的099內(nèi)阻與070，038內(nèi)阻型號(hào)已實(shí)現(xiàn)大量出貨，標(biāo)志著美瑞在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的夯實(shí)一步。
2024-09-09本文為您介紹超結(jié)MOSFET的生產(chǎn)工藝，和應(yīng)用。超結(jié)MOS作為一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體器件技術(shù)，通過(guò)其獨(dú)特的超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在降低導(dǎo)通電阻、提高開(kāi)關(guān)速度、減小芯片體積、降低發(fā)熱和提升效率等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-09-07Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：m.0431htky.com
總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號(hào)五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號(hào)版權(quán)所有 模仿必究
